化學(xué)性質(zhì)
中文名稱:銻化鎵
中文同義詞:銻化鎵;銻化鎵,99.99%(METALSBASIS);銻化鎵,痕量分析;銻化鎵GASB
英文名稱:GALLIUMANTIMONIDE
英文同義詞:antimony,compd.withgallium(1:1);GALLIUMANTIMONIDE;gallanylidynestibane;GALLIUMANTIMONIDEPIECES-6MESH&;Galliumantimonide,singlecrystalsubstrate(100);GALLIUMANTIMONIDE,99.999%;GalliumAntimonide99.99%;Galliumantimonide,99.99%(metalsbasis)
CAS號:12064-03-8
分子式:GaSb
分子量:191.48
EINECS號:235-058-8
銻化鎵性質(zhì)
熔點980°C(lit.)
密度5.62g/mLat25°C(lit.)
形態(tài)pieces
電阻率(resistivity)~0.1Ω-cm
水溶解性Insolubleinwater.
晶體結(jié)構(gòu)Cubic,SphaleriteStructure-SpaceGroupF(-4)3m
晶體生長
通常從熔體中生長單晶的最常見方法是直拉法（CZ）。但是對于GaSb材料，單晶生長過程中Sb元素更易離解揮發(fā)，將導(dǎo)致熔體內(nèi)Ga：Sb化學(xué)計量比失衡，從而產(chǎn)生位錯缺陷，甚至畸變?yōu)槎嗑?。因此在GaSb單晶生長過程中，經(jīng)常采用在普通直拉法坩堝中的熔體表面覆蓋一層液態(tài)覆蓋劑的方法，用來封閉GaSb熔體，控制熔體中Sb元素的離解揮發(fā)，從而實現(xiàn)GaSb晶體的穩(wěn)定生長，這就是液封直拉法（LEC）。同時，根據(jù)GaSb在熔點附近的離解壓大小，在生長室內(nèi)充入一定壓力的惰性氣體，加強對Sb元素離解揮發(fā)的抑制作用。采用LEC法制備GaSb單晶的優(yōu)點是設(shè)備結(jié)構(gòu)相對簡單，可靠性更高；單晶爐設(shè)有觀察窗口，晶體的生長過程可實時觀測，晶體的生長參數(shù)可依據(jù)其生長狀態(tài)及時調(diào)整。但是采用LEC法制備GaSb單晶的過程中也存在較多問題，比如單晶爐內(nèi)空間相對開放，爐體內(nèi)熱對流相對復(fù)雜，晶體生長缺陷受拉制工藝影響較大，多晶料中Sb元素更易揮發(fā)等。
安全信息
危險品標(biāo)志 Xn,N
危險類別碼 20/22-51/53
安全說明 61
危險品運輸編號 UN 1549 6.1/PG 3
WGK Germany 2
TSCA Yes
HazardClass 6.1
PackingGroup III
合成方法
把20g鎵、34.94g銻放進石墨盤中，裝入石英管內(nèi)，并用氫氣流充分置換掉空氣之后，然后在氫氣流中加熱石英管至720～730℃使其化合。 為了制得GaSb單晶，可以從石英管中慢慢取出，使熔融狀態(tài)的GaSb從盤的一端開始固化形成結(jié)晶。如欲制成半導(dǎo)體用GaSb時，所用原料盤及石英管均應(yīng)是高純度的制品，必要時可進行區(qū)域熔融提純。
上下游產(chǎn)品信息
表征圖譜
相關(guān)文獻
用途
銻化鎵（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半導(dǎo)體，屬于閃鋅礦、直接帶隙材料，其禁帶寬度為0.725eV（300K），晶格常數(shù)為0.60959nm。GaSb具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能，常被用做襯底材料，應(yīng)用于8~14mm及大于14mm的紅外探測器和激光器。此外，Te摻雜的GaSb可用于制備高光電轉(zhuǎn)化效率的熱光伏器件、迭層太陽能電池及微波器件等。
