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中文名稱:氧化銦錫

中文同義詞:氧化銦錫,NANOTEK|R,99.5%;氧化銦錫,91:9W/W,99.997%;氧化銦錫,99.99%(METALSBASIS);氧化銦錫,VACUUMDEPOSITIONGRADE,99.99%(METALSBASIS);氧化銦錫(ITO);氧化銦錫(銦錫氧化物);氧化銦錫100G;氧化銦錫濺射靶,50.8MM(2.0IN)直徑X6.35MM(0.25IN)厚,99.99%(METALSBASIS)

英文名稱:INDIUMTINOXIDE

英文同義詞:ITO;INDIUMTINOXIDE;indiumtinoxide,3mm-12mmpieces,91:9w/w;indiumtinoxide,dispersion;indiumtinoxide,vacuumdepositiongrade;itocoatedslide;Indiumstannicoxide;Indiumtinoxide,99.5%min(metalsbasis)

CAS號:50926-11-9

分子式:In2O5Sn

分子量:428.34

氧化銦錫性質(zhì)

熔點287℃

沸點82°C

密度1.2g/mLat25°C(lit.)

折射率n20/D1.5290-1.5460(lit.)

閃點57.2°F

儲存條件?20°C

形態(tài)nanopowder

顏色Yellow-green

水溶解性Insolubleinwater.

特性

氧化銦錫主要的特性是其電學傳導和光學透明的組合。然而，薄膜沉積中需要作出妥協(xié)，因為高濃度電荷載流子將會增加材料的電導率，但會降低它的透明度。

氧化銦錫主要用于制作液晶顯示器、平板顯示器、等離子顯示器、觸摸屏、電子紙等應用、有機發(fā)光二極管、以及太陽能電池、和抗靜電鍍膜還有EMI屏蔽的透明傳導鍍膜。