|<%if (baikeinfo.cas) {%><%=baikeinfo.cas%><%}%>西亞試劑|化學(xué)試劑|試劑|分析試劑|高純試劑|標(biāo)準(zhǔn)品" /> |<%if (baikeinfo.cas) {%><%=baikeinfo.cas%>|<%}%>西亞試劑專業(yè)生產(chǎn)和銷售各種試劑,如化學(xué)試劑,通用試劑,分析試劑,有機(jī)試劑,無機(jī)試劑等,同時(shí)我公司還提供各類生化試劑,通用試劑,分析試劑,有機(jī)試劑,無機(jī)試劑樣品,歡迎廣大客戶選購.hendrickstechnology.com" />

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西亞試劑 —— 品質(zhì)可靠,值得信賴

化學(xué)性質(zhì)

中文名稱:氧化銦

中文別名:氧化銦(III);納米氧化銦;三氧化二銦;氧化銦/納米氧化銦;

英文名稱:Indium Oxide

英文別名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;

Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;

CAS號:1312-43-2

分子式:In2O3

分子量:277.63400

精確質(zhì)量:277.79200

PSA:43.37000

物性數(shù)據(jù)

蒸氣壓(mmHg,25oC):<0.01

溶解性:不溶于水,溶于熱的無機(jī)酸

雜質(zhì)要求

In2O3含量:99.99%,(其它雜質(zhì)以%計(jì))

氯化物<=0.001

硫酸鹽<= 0.002

氮化合物<=0.003

Cu <=0.0002

Pb <=0.0004

Cd <=0.00079

Ti <=0.0003

Sn <=0.00063

Al<=0.0002

Fe <=0.0015

Ag<=0.00005

其它再議

 計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)
1.疏水參數(shù)計(jì)算參考值(XlogP):無
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:3
4.可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量:0
5.互變異構(gòu)體數(shù)量:無
6.拓?fù)浞肿訕O性表面積3
7.重原子數(shù)量:5
8.表面電荷:0
9.復(fù)雜度:0
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量:0
13.確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
14.不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量:0
15.共價(jià)鍵單元數(shù)量:5
分子結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)
1、單一同位素質(zhì)量:277.7925 Da
2、標(biāo)稱質(zhì)量:278 Da
3、平均質(zhì)量:277.6342 Da
生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)
通常來說對水是無害的,若無政府許可,勿將材料排入周圍環(huán)境。
性質(zhì)與穩(wěn)定性
在氫氣或其他還原劑存在下,加熱至400~500℃可還原成金屬銦或低價(jià)銦的氧化物。
在高溫下分解為低級氧化物。另外,在高溫下可與金屬銦發(fā)生反應(yīng),低溫灼燒生成的In2O3雖易溶于酸,但經(jīng)過高溫處理得越完全就越難溶,吸濕性也消失了。三氧化二銦在赤熱狀態(tài)下用氫氣還原時(shí),則生成金屬銦。
毒理資料
RTECS號:NL1770000
急性毒性:大鼠口經(jīng)LD:>10gm/kg;小鼠引入腹膜LDLo:5gm/kg;小鼠口經(jīng)LDLo:10gm/kg
包裝
本產(chǎn)品可按用戶要求,裝入塑料桶,熱塑套管封口。
包裝(Package): 20公斤/袋
貯存方法
保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方,確保工作間有良好的通風(fēng)或排氣裝置。

安全信息

危險(xiǎn)品標(biāo)志Xi

危險(xiǎn)類別碼36/37/38

安全說明26-36

危險(xiǎn)品運(yùn)輸編號UN1993

WGKGermany3

RTECS號NL1770000

TSCAYes

海關(guān)編碼28259085

HazardClass3

PackingGroupII

合成方法

1.將高純金屬銦在空氣中燃燒或?qū)⑻妓徙熿褵蒊n2O、InO、In2O3,精細(xì)控制還原條件可制得高純In2O3。也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。

2.將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時(shí),溫度過高的話,In2O3有熱分解的可能性,若溫度過低則難以完全脫水,而且生成的氧化物具有吸濕性,因此,加熱溫度和時(shí)間是重要的因素。另外,因?yàn)镮n2O3容易被還原,所以必須經(jīng)常保持在氧化氣氛中。

3.將氫氧化銦在空氣中,于850℃灼燒至恒重,生成In2O3,再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。

 

上下游產(chǎn)品信息

表征圖譜

相關(guān)文獻(xiàn)

用途

1.用作光譜純試劑和電子元件的材料等
2.用于金屬反射鏡面的保護(hù)涂層、光電顯示半導(dǎo)體薄膜,也用于制造銦鹽、玻璃。
電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料,主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學(xué)試劑等。另外,廣泛應(yīng)用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學(xué)試劑等傳統(tǒng)領(lǐng)域。近年來大量應(yīng)用于光電行業(yè)等高新技術(shù)領(lǐng)域和軍事領(lǐng)域,特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材,制造透明電極和透明熱反射體材料,用于生產(chǎn)平面液晶顯示器和除霧冰器。