化學性質
中文名稱：氧化銦
中文別名：氧化銦(III);納米氧化銦;三氧化二銦;氧化銦/納米氧化銦;
英文名稱：Indium Oxide
英文別名：Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS號：1312-43-2
分子式：In2O3
分子量：277.63400
精確質量：277.79200
PSA：43.37000
物性數(shù)據(jù)
蒸氣壓（mmHg,25oC）：<0.01
溶解性：不溶于水，溶于熱的無機酸
雜質要求
In2O3含量：99.99%，（其它雜質以%計） |
氯化物<=0.001 | 硫酸鹽<= 0.002 | 氮化合物<=0.003 | Cu <=0.0002 |
Pb <=0.0004 | Cd <=0.00079 | Ti <=0.0003 | Sn <=0.00063 |
Al<=0.0002 | Fe <=0.0015 | Ag<=0.00005 | 其它再議 |
計算化學數(shù)據(jù)
1.疏水參數(shù)計算參考值（XlogP）:無
2.氫鍵供體數(shù)量:0
3.氫鍵受體數(shù)量:3
4.可旋轉化學鍵數(shù)量:0
5.互變異構體數(shù)量:無
6.拓撲分子極性表面積3
7.重原子數(shù)量:5
8.表面電荷:0
9.復雜度:0
10.同位素原子數(shù)量:0
11.確定原子立構中心數(shù)量:0
12.不確定原子立構中心數(shù)量:0
13.確定化學鍵立構中心數(shù)量:0
14.不確定化學鍵立構中心數(shù)量:0
15.共價鍵單元數(shù)量:5
分子結構數(shù)據(jù)
1、單一同位素質量：277.7925 Da
2、標稱質量：278 Da
3、平均質量：277.6342 Da
生態(tài)學數(shù)據(jù)
通常來說對水是無害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。
性質與穩(wěn)定性
在氫氣或其他還原劑存在下，加熱至400～500℃可還原成金屬銦或低價銦的氧化物。
在高溫下分解為低級氧化物。另外，在高溫下可與金屬銦發(fā)生反應，低溫灼燒生成的In2O3雖易溶于酸，但經(jīng)過高溫處理得越完全就越難溶，吸濕性也消失了。三氧化二銦在赤熱狀態(tài)下用氫氣還原時，則生成金屬銦。
毒理資料
RTECS號：NL1770000
急性毒性：大鼠口經(jīng)LD：>10gm/kg；小鼠引入腹膜LDLo：5gm/kg；小鼠口經(jīng)LDLo：10gm/kg
包裝
本產品可按用戶要求，裝入塑料桶，熱塑套管封口。
包裝（Package）： 20公斤/袋
貯存方法
保持貯藏器密封、儲存在陰涼、干燥的地方，確保工作間有良好的通風或排氣裝置。
安全信息
危險品標志Xi
危險類別碼36/37/38
安全說明26-36
危險品運輸編號UN1993
WGKGermany3
RTECS號NL1770000
TSCAYes
海關編碼28259085
HazardClass3
PackingGroupII
合成方法
1.將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3，精細控制還原條件可制得高純In2O3。也可用噴霧燃燒工藝制得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。
2.將氫氧化銦灼燒制備三氧化二銦時，溫度過高的話，In2O3有熱分解的可能性，若溫度過低則難以完全脫水，而且生成的氧化物具有吸濕性，因此，加熱溫度和時間是重要的因素。另外，因為In2O3容易被還原，所以必須經(jīng)常保持在氧化氣氛中。
3.將氫氧化銦在空氣中，于850℃灼燒至恒重，生成In2O3，再在空氣中于1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以制得三氧化二銦。
上下游產品信息
表征圖譜
相關文獻
用途
1.用作光譜純試劑和電子元件的材料等
2.用于金屬反射鏡面的保護涂層、光電顯示半導體薄膜，也用于制造銦鹽、玻璃。
電阻式觸摸屏中經(jīng)常使用的原材料，主要用于熒光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外，廣泛應用于有色玻璃、陶瓷、堿錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統(tǒng)領域。近年來大量應用于光電行業(yè)等高新技術領域和軍事領域，特別適用于加工為銦錫氧化物(ITO)靶材，制造透明電極和透明熱反射體材料，用于生產平面液晶顯示器和除霧冰器。
