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| 訂貨編號 | 產(chǎn)品名稱 | 規(guī)格 | 包裝 | 原價 | 現(xiàn)價 | 數(shù)量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A28558-5g | 銻化銦 | ≥99.99999% metals basis | 5g | 784.00 | 784.00 |
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化學性質(zhì)
危險屬性
質(zhì)量標準
采購詢價
問答
1. 基本特性
- 分子結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)：銻化銦的化學式為InSb，分子量為236.578 g/mol。它的晶體結(jié)構(gòu)是閃鋅礦型，具有立方晶系，晶格常數(shù)約為0.6478 nm。這種結(jié)構(gòu)使其具有良好的電學和光學性能。
- 密度和熔點：銻化銦的密度為5.775 g/cm3，熔點在525℃左右。這些特性使其在高溫應用中表現(xiàn)出色。
- 顏色和外觀：該化合物通常以黑色晶體形式存在，并具有一定的金屬光澤。
2. 熱學性質(zhì)
- 熱導性：銻化銦具有較高的熱導性，這在高功率電子設備中尤為重要，有助于散熱并保持設備的穩(wěn)定性。
- 熱膨脹系數(shù)：其熱膨脹系數(shù)較低，這使得它在溫度變化較大的環(huán)境中仍能保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。
3. 電學性質(zhì)
- 導電性：銻化銦是一種直接帶隙半導體，室溫下禁帶寬度為0.17 eV，低溫（80開爾文）工作時的禁帶寬度為0.233 eV。這使得它在紅外光譜范圍內(nèi)具有優(yōu)異的光電性能。
- 載流子遷移率：其電子遷移率高達10 m2/(V·s)，而空穴遷移率為0.17 m2/(V·s)。這種高電子遷移率使其在高速電子器件中表現(xiàn)優(yōu)異。
- 本征載流子濃度和電阻率：在室溫下，本征載流子濃度為1.1×1022 m?3，本征電阻率為6×10?? Ω·m。
4. 光學性質(zhì)
- 光吸收和折射率：銻化銦在中紅外波段（3-5 μm）具有高光吸收能力，適用于制造高效的紅外探測器。
- 量子效率：由于其窄帶隙特性，銻化銦在光譜范圍內(nèi)屬于本征吸收，擁有近百分之百的量子效率，這在紅外探測領域尤為關鍵。
5. 化學穩(wěn)定性
- 水溶性：銻化銦在水中不溶解，這一特性使其在某些化學環(huán)境下更為穩(wěn)定。
- 抗氧化性：盡管銻化銦在常溫下較為穩(wěn)定，但在高溫或特定環(huán)境下可能與氧氣發(fā)生反應，因此需注意保護措施。
6. 環(huán)境影響
- 毒性和環(huán)境風險：銻化銦被歸類為有害物品，對環(huán)境和人體健康有一定風險。吸入或吞食可能有害，對水生生物有毒，可能對水體環(huán)境產(chǎn)生長期不良影響。
- 安全處理：在處理和儲存銻化銦時，應遵循相應的安全規(guī)范，避免其釋放到環(huán)境中。使用防護裝備如手套和護目鏡是必要的。
一、GHS分類
- GHS危險性類別：根據(jù)《全球化學品統(tǒng)一分類和標簽制度》（GHS），銻化銦屬于有害物品，危害環(huán)境。
二、安全術語
- S61：避免釋放至環(huán)境中。參考特別說明/安全數(shù)據(jù)說明書。
三、風險術語
- R20/22：吸入及吞食有害。
- R51/53：對水生生物有毒，可能對水體環(huán)境產(chǎn)生長期不良影響。
四、急救措施
- 皮膚接觸：立即脫去污染的衣物，用大量流動清水沖洗至少15分鐘。就醫(yī)。
- 眼睛接觸：提起眼瞼，用流動清水或生理鹽水徹底沖洗至少15分鐘。就醫(yī)。
- 吸入：迅速脫離現(xiàn)場至空氣新鮮處，保持呼吸道通暢。如呼吸困難，給輸氧。如呼吸停止，立即進行人工呼吸并就醫(yī)。
- 食入：飲足量溫水，催吐并就醫(yī)。
五、消防措施
- 滅火方法：銻化銦不燃，但周圍起火時，使用適合周圍火源的滅火劑。
- 特殊注意事項：滅火時可能會產(chǎn)生有毒氣體，需穿戴適當?shù)姆雷o裝備。
六、泄漏應急處理
- 個人防護：避免吸入粉塵和接觸皮膚，穿戴適當?shù)姆雷o服、手套和護目鏡。
- 環(huán)境保護：防止泄漏物進入水體，控制泄漏范圍。
- 清理方法：收集粉末并置于密封容器中待處理，小量泄漏可用濕沙或其他惰性材料吸收并妥善處置。
七、廢棄處置
- 處置方式：根據(jù)當?shù)胤ㄒ?guī)進行處置，不可直接排入環(huán)境。建議聯(lián)系專業(yè)廢物處理公司進行處理。
八、安全數(shù)據(jù)表（SDS）
- 內(nèi)容：包含上述所有信息以及詳細的理化性質(zhì)、毒理學數(shù)據(jù)、生態(tài)學數(shù)據(jù)、運輸信息等。
一、物理性質(zhì)
1. 晶體結(jié)構(gòu)：
- 銻化銦具有面心立方晶體結(jié)構(gòu)，這決定了其優(yōu)良的電子傳輸性能和物理特性。
- 晶格常數(shù)約為6.479 ?，這一參數(shù)對材料的電子特性有重要影響。
2. 密度和硬度：
- 銻化銦的密度為5.78 g/cm3，這影響到材料在不同應用中的質(zhì)量和強度要求。
- 莫氏硬度為3.8，相對較低，表明其較軟，易加工但耐磨損性較差。
3. 熔點：
- 銻化銦的熔點為525°C，較低的熔點使其在高溫下易于加工，但也限制了其在高溫環(huán)境中的應用。
二、化學性質(zhì)
1. 化學穩(wěn)定性：
- 銻化銦在室溫下具有良好的化學穩(wěn)定性，不易與大多數(shù)物質(zhì)發(fā)生反應。但在高溫或特定化學環(huán)境下，其穩(wěn)定性會降低，可能發(fā)生化學反應或分解。
2. 反應活性：
- 對強酸和強堿敏感，需在特定的化學條件下處理和儲存以防止其性能下降。
三、電子性質(zhì)
1. 能帶結(jié)構(gòu)：
- 銻化銦的禁帶寬度極窄（約0.17 eV at 300K），這使得它對紅外光具有極高的靈敏度，是其在紅外探測領域廣泛應用的關鍵因素。
2. 載流子遷移率：
- 銻化銦擁有極高的電子遷移率（約7.7×10^4 cm2/V·s），這使得它在高速電子設備和高頻率應用中表現(xiàn)出色。
3. 導電類型和載流子濃度：
- 銻化銦可以是N型或P型半導體，通過摻雜可以控制其導電類型。
- 載流子濃度范圍通常在1-5x101?至1-2x101?之間，具體取決于材料的純度和摻雜情況。
四、材料制備和缺陷控制
1. 制備方法：
- 銻化銦的制備方法多樣，包括粉末冶金法、化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）和分子束外延（MBE）等。每種方法都有其特定的優(yōu)勢和應用領域，選擇合適的制備技術對實現(xiàn)特定應用需求至關重要。
2. 缺陷控制：
- 位錯密度應低于102 cm?2，以減少晶體缺陷對電子傳輸性能的影響。
- 晶體缺陷如人工金屬單晶中的常見晶體缺陷等需要控制在可接受的范圍內(nèi)。
五、表面質(zhì)量和尺寸規(guī)格
1. 表面粗糙度：
- 表面粗糙度應小于15?，以確保良好的光學和電子性能。
2. 尺寸規(guī)格和公差：
- 根據(jù)具體應用需求，銻化銦的尺寸規(guī)格和公差需要嚴格控制。例如，常規(guī)晶向為（100），公差為±0.5o。
六、環(huán)境和安全指標
1. 環(huán)境適應性：
- 銻化銦在常溫下對人體和環(huán)境無明顯危害，但在處理和制備過程中需注意防止粉塵吸入和皮膚接觸。
2. 安全措施：
- 使用時需遵循一般化學實驗室的操作規(guī)范和安全措施，如佩戴防護眼鏡和手套等。
