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CAS RN: 12064-03-8 | 產(chǎn)品編碼: T1100542

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銻化鎵,≥99.99%

≥99.99% 銻化鎵 GaSb 191.47 文檔:
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A64963-1g 銻化鎵 ≥99.99% 1g 455.00 455.00

A64963-5g 銻化鎵 ≥99.99% 5g 1544.00 1544.00

A64963-250mg 銻化鎵 ≥99.99% 250mg 135.00 135.00

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危險屬性

化學性質(zhì)

質(zhì)量標準

采購詢價

問答

1. GHS分類

- 急性毒性, 經(jīng)口 (類別 4)

- 急性毒性, 吸入 (類別 4)

- 急性水生毒性 (類別 2)

- 慢性水生毒性 (類別 2)

2. 安全術語

- S61:避免排放到環(huán)境中。參考專門的說明/安全數(shù)據(jù)表。

3. 風險術語

- R20/22:吸入和不慎吞咽有害。

- R51/53:對水生生物有毒,可能導致對水生環(huán)境的長期不良影響。

4. 急救措施

- 一般建議:請教醫(yī)生。向到現(xiàn)場的醫(yī)生出示此安全技術說明書。

- 吸入:如果吸入,請將患者移到新鮮空氣處。如呼吸停止,進行人工呼吸。請教醫(yī)生。

- 皮膚接觸:用肥皂和大量的水沖洗。請教醫(yī)生。

- 眼睛接觸:謹慎起見用水沖洗眼睛。

- 食入:切勿給失去知覺者喂食任何東西。用水漱口。請教醫(yī)生。

5. 消防措施

- 滅火介質(zhì):用水霧、抗乙醇泡沫、干粉或二氧化碳滅火。

- 特別危害:氧化鉍、氧化銻。

- 給消防員的建議:如必要的話,戴自給式呼吸器去救火。

6. 泄漏應急處理

- 作業(yè)人員防護措施、防護裝備和應急處置程序:使用個人防護用品。避免粉塵生成。避免吸入蒸氣、煙霧或氣體。保證充分的通風。避免吸入粉塵。

- 環(huán)境保護措施:如能確保安全,可采取措施防止進一步的泄漏或溢出。不要讓產(chǎn)品進入下水道。

- 泄漏化學品的收容、清除方法及所使用的處置材料:收集和處置時不要產(chǎn)生粉塵。掃掉和鏟掉。放入合適的封閉的容器中待處理。

7. 廢棄處置

- 將內(nèi)裝物/容器送到批準的廢物處理廠處理。

8. 安全數(shù)據(jù)表(MSDS)

- MSDS提供了關于銻化鎵的詳細安全信息,包括物理化學性質(zhì)、毒性和生態(tài)影響、急救措施、消防措施、泄漏應急處理和廢棄處置等。

1. 基本性質(zhì)

- 銻化鎵是一種由鎵(Ga)和銻(Sb)元素組成的化合物,其化學式為GaSb。

- 它屬于立方晶系,具有閃鋅礦結(jié)構(gòu),晶胞中有八個原子。

- 銻化鎵的密度約為5.61克/立方厘米。

- 它的熔點較高,約為710°C至980°C不等,具體取決于文獻來源。

- 在水溶性方面,銻化鎵不溶于水。

2. 導電性與光電屬性

- 銻化鎵是一種半導體材料,具有較高的電導率,其電導率可以通過摻雜進行調(diào)節(jié),因此可以用于制造電子器件,如高速晶體管。

- 它對可見光和紅外光具有較好的響應性能,被廣泛應用于紅外光電器件、激光器和光電探測器等領域。

3. 化學穩(wěn)定性

- 銻化鎵在一般常溫下相對穩(wěn)定,但在高溫和強氧化性環(huán)境下會發(fā)生化學反應。

- 在一定電勢下,銻化鎵電極會生成氧化膜,主要成分為難溶的氧化銻(Sb2O3),這層氧化膜的存在抑制了銻化鎵的進一步腐蝕。

4. 反應特性

- 銻化鎵在室溫條件下與氧氣不發(fā)生氧化反應,但加熱超過熔點時,銻粉能與氧氣反應生成三氧化二銻(Sb2O3)。

- 銻化鎵不溶于水、鹽酸、堿液,但溶于王水及熱的濃硫酸。

- 銻化鎵還可以與多種金屬形成合金,這些合金在工業(yè)上具有廣泛的應用價值。

5. 應用領域

- 由于銻化鎵的獨特性質(zhì),它在電子和半導體器件的制造中具有廣泛的應用。例如,它可以用于制造高速電子器件、高頻傳感器、激光器以及太陽能電池等。

- 在光纖通信領域,銻化鎵作為襯底材料引起了更多的注意,因為它可以與各種Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數(shù)相匹配,這些材料光譜的范圍符合光纖通信的要求。

需要注意的是,銻化鎵具有一定的毒性和環(huán)境危害性。在處理和使用過程中應采取適當?shù)陌踩胧?,避免直接接觸皮膚和眼睛,以及吸入其粉塵和蒸氣。同時,廢棄的銻化鎵應按照相應的法規(guī)進行處理,以防止對環(huán)境造成污染。

1. 物理性質(zhì)

- 密度:銻化鎵的密度通常為5.61克/立方厘米。

- 熔點:其熔點在980°C左右。

- 折射率:銻化鎵的折射率較高,最大值可達5.24(在2.0eV時),并且隨著光子能量的增加而減少。

- 溶解度:銻化鎵幾乎不溶于水。

- 外觀性狀:通常為灰白色,立方晶系閃鋅礦型結(jié)晶。

2. 化學性質(zhì)

- 抗磁性:銻化鎵是抗磁性的。

- 穩(wěn)定性:在常溫常壓下穩(wěn)定,但應避免與氧化物、酸、堿等物質(zhì)接觸。

- 制備方法:可以通過在惰性氣氛中將等量的鎵和銻熔化在一起而獲得。

3. 電氣性質(zhì)

- 帶隙:銻化鎵的帶隙為0.72 eV(300K),屬于直接型半導體。

- 載流子濃度和遷移率:未摻雜的高純度銻化鎵單晶殘余受主濃度< 1.4×10 cm^-3,遷移率≈690 cm/V s(在300 K)。摻雜后的銻化鎵晶體載流子濃度會顯著增加,如硅摻雜可高達2×10 cm^-3,鋅摻雜可高達1×10 cm^-3,碲摻雜n型銻化鎵單晶濃度也可高達2×10 cm^-3。

4. 光學性質(zhì)

- 透射率:在3.3eV時,銻化鎵的透射率達到最大值0.20。

- 吸收系數(shù):最大值為1.76×10^8 m^-1(即1.76×10^6 cm^-1),這是典型的半導體帶間吸收。

- 反射系數(shù):在4.3 eV時達到最大值0.82,表明銻化鎵具有很高的吸收率。

5. 機械性能

- 硬度:莫氏硬度為1.5至6之間。

- 脆性:銻化鎵材料較軟且易產(chǎn)生劃痕,因此在加工過程中需要特別注意。

6. 表面質(zhì)量

- 拋光質(zhì)量:由于銻化鎵材料表面極易氧化且化學性質(zhì)非?;顫?,因此對其表面質(zhì)量要求較高。采用化學機械拋光(CMP)方法可以有效提高其表面質(zhì)量,但拋光工藝需要特別設計以避免產(chǎn)生劃痕和凹坑等缺陷。

*產(chǎn)品名稱

CAS號

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